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主要技术指标:真空度达1X10-6乇,衬底温度可达100度直流溅射电源功率1000瓦 功能/应用范围:有2个DC溅射靶,可以在真空状态下溅射生成一类材料薄膜或多层不同薄膜,...
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主要技术指标:离子束:30kv分辨率7nm,加速电压2-30kv。电子束:钨灯丝电子枪 功能/应用范围:材料微细加工及样品制备。 主要测试和研究领域:材料/珠宝首饰电子/信息...
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主要技术指标:真空度<1e-6mBar,薄膜淀积速率1~10nm/min 功能/应用范围:离子束溅射,可用于金属薄膜淀积和样品物理刻蚀 主要测试和研究领域...
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主要技术指标:重复频率1KHz,单脉冲能量600微焦耳,脉冲宽度50fs 功能/应用范围:超快光谱学、非线性光学 主要测试和研究领域:电子/信息技术 收费标准:其它收...
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主要技术指标:样品尺寸为4寸硅片溅射室极限真空优于1.210-6Pa,进样室(loadlock)真空优于6.710-4Pa淀积薄膜厚度均匀性优于3%衬底可加热,温度最高可达800oC 功能/应用范...
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主要技术指标:极限真空:成膜室1.210-6Pa(loadlock)准备室6.710-4Pa样品尺寸:4寸(1片/次)可通3路气体:Ar、N2、O2(50sccm)。可做普通溅射、共溅射和反应溅射,可对样...
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主要技术指标:电子枪功率3kW,本底真空10E-9Torr,6寸旋转样品托(可液氮冷却),坩埚5*2.24cc 功能/应用范围:蒸镀各种金属薄膜 主要测试和研究领域:电子/信息技...
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