主要技术指标:样品尺寸为4寸硅片溅射室极限真空优于1.210-6 Pa,进样室(loadlock)真空优于6.710-4 Pa淀积薄膜厚度均匀性优于3%衬底可加热,温度最高可达800 oC
功能/应用范围:采用LTS阴极,阴极(靶位)4个,配备3个直流电源和1个射频电源,可进行直流磁控溅射和射频溅射,可进行共溅射可通Ar、N2、O2等3路气体,可进行反应溅射进样室有射频电源可对样品进行预溅射清洗应用范围包括超薄金属层、金属硅化物薄膜、高介电常数栅介质、金属纳米晶材料的淀积
技术特色:/
主要测试和研究领域:电子/信息技术
收费标准:其它收费方式仪器
负责人:徐赛生,陈洁
电话:55664846
电子邮件:lfzhang@fudan.edu.cn