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德国BATOP PSFL1030光纤激光器 MCT-1064-90ps激光微芯片 激光组件
- 维尔克斯光电和德国BATOP公司有着紧密和深入的合作，能够迅速响应用户对光纤激光器、1064nm激光芯片和激光组件的报价和交货需求。
PSFL1030 皮秒光纤激光评估套件
BATOP的PSFL1030评估套件允许用户在1030 nm波长使用，配置了可饱和吸收镜，可作为非线性光学器件的被动锁模器件和激光谐振腔。光纤激光器的设计可以很容易的研究改变某些参数对激光输出信号的影响。
用户能够在1030n构建自己的ps光纤激光装置，支持对被动锁模掺镱光纤激光器的实验现象的理解。
以下的光纤激光器的配置可以通过PSFL1030皮秒光纤激光评估套件实现：
被动锁模皮秒光纤激光器的可饱和吸收镜（SAM）
使用一个光纤布拉格光栅（FBG）分散控制
PS振荡器+光纤放大器的组合
1030nm连续波光纤激光器
放大的自发辐射（ASE）的宽带发射。
PSFL1030评估套件包含了980 nm泵浦激光二极管和激光二极管控制器运行，得到1030nm的皮秒光纤激光输出。
测量激光输出参数除了PSFL1030评估套件，还需要如下附加设备：
光功率计测量激光输出平均功率
快速光电二极管激光输出信号跟踪的时间依赖性
200 MHz示波器测量光电二极管的输出信号
可选：OSA（光谱分析仪）测量的光谱强度
可选：脉宽测量的自相关器
PSFL1030 皮秒光纤激光评估套件的参数
皮秒光纤激光器评估套件，
被动锁模光纤激光器，
波长1030 nm，
~ 3 ps脉冲持续时间，
脉冲能量~ 50 PJ，
重复率50 - 100兆赫，
泵浦波长975 nm。
BATOP 1064nm激光微芯片
微芯片（MC，BATOP 1064nm激光微芯片）是由可饱和吸收体结合Nd:YVO4 激光晶体。如果使用波长为808 nm的被动调Q激光器泵浦，其就可以产生脉冲激光辐射的波长在1064 nm激光。
BATOP 1064nm激光芯片的优势是其重复频率和泵浦能量有关，随着泵浦能量的增加，1064nm芯片的重复频率也随着增加，而输出激光的脉宽和单脉冲能量都不变。寄激光输出是线性的。
BATOP 1064nm激光微芯片的应用领域：
微加工
光探测和测距（LIDAR）
精密测量
频率转换
BATOP 1064nm激光微芯片的型号和参数
BATOP 1064nm激光微芯片可分为两大类：反射式和透射式。
1）MC：反射模式芯片
Nd∶YVO4激光晶体与可饱和吸收镜结合（SAM）。
激光束在泵浦光的反方向，必须使用一个二分镜从泵浦光中分离。
激光输出与偏振方向垂直于铜热沉槽中的偏振方向的直线偏振光。
2）MCT：传输模式芯片
Nd∶YVO4激光晶体结合在可饱和吸收耦合输出镜（SOC）上。
激光输出光束与泵浦光束的方向相同。
激光输出为线偏振。
下面是BATOP 1064nm激光微芯片的型号参数。
MC-1064-100ps 反射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脉宽~ 100 ps,
脉冲能量 ~ 20 nJ, 重复频率 80 kHz - 700 kHz
pump wavelength 808 nm
MC-1064-240ps 反射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脉宽~ 240 ps,
脉冲能量 ~ 30 nJ, 重复频率 50 kHz - 800 kHz
pump wavelength 808 nm
MCT-1064-90ps 透射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脉宽~ 90 ps,
脉冲能量 ~ 100 nJ, 重复频率 20 kHz - 400 kHz
pump wavelength 808 nm
MCT-1064-220ps 透射模式微芯片
λ = 1064 nm, 脉宽~ 220 ps,
脉冲能量 ~ 160 nJ, 重复频率 20 kHz - 400 kHz
pump wavelength 808 nm
BATOP激光组件、激光元件
德国BATOP还提供一系列的激光元件和组件，包括窄带通滤波器、长通滤波器和broadband gold mirror。
尺寸很小的反射镜（几mm）或长通滤波器需要这样的设备，可以在单晶GaAs衬底上使用。单晶GaAs具有良好的导热系数55 W/(m*K)，可以切割成小的矩形芯片由于其立方晶体结构。
Au-M-4x4 Gold mirror on GaAs substrate
area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm
Au-M-2x2 Gold mirror on GaAs substrate
area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm
Au-M-1.3x1.3 Gold mirror on GaAs substrate
area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm
B-M-1030nm-4x4 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate
area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm
B-M-1030nm-2x2 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate
area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm
B-M-1030nm-1.3x1.3 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate
area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm
LPF-900-5x5 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm
chip area: 5.0 mm x 5.0 mm, chip thickness 0.625 mm
LPF-900-4x4 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm
chip area: 4.0 mm x 4.0 mm, chip thickness 0.625 mm
LPF-900-2x2 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm
chip area: 2.0 mm x 2.0 mm, chip thickness 0.625 mm
