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测试流程：

1、在样品断电的状态下，先将温度下降到-50°C，保持4个小时;请勿在样品通电的状态下进行低温测试，非常重要，因为通电状态下，芯片本身就会产生+20°C以上温度，所以，在通电状态下，通常比较容易通过低温测试，必须先将其“冻透”，再次通电进行测试。

2、开机，对样品进行性能测试，对比性能与常温相比是否正常。

3、进行老化测试，观察是否有数据对比错误。

4、升温到+90°C，保持4个小时，与低温测试相反，升温过程不断电，保持芯片内部的温度一直处于高温状态，4个小时后，执行2、3、4测试步骤。

5、高温和低温测试分别重复10次。

如果测试过程出现任何一次不能正常工作的状态，则视为测试失败。

5、高温和低温测试分别重复10次。

如果测试过程出现任何一次不能正常工作的状态，则视为测试失败。

参考标准：

GB/T2423.1-2008试验A：低温试验方法

GB/T2423.2-2008试验B：高温试验方法

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