主要技术指标
蚀刻反应室抽气速率:真空度<5.0×10^-5Torr(15分钟内);蚀刻反应室极限真空:8.0×10^-6Torr;装载室抽气速率:真空度<5.0×10^-2Torr(5分钟内);蚀刻速率>280nm/min;非均匀性≤±5%
主要功能
进行GaNg,GaAs,InP等材料的蚀刻
技术特色
真空环境下的半导体新材料制备
主要测试或应用领域
材料/珠宝首饰,电子/信息技术
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