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主要技术指标 |
高压发生器功率：3KW；电流60mA；电压 60kV。 X光管：陶瓷管；Cu靶。 检测器：正比充Xe气计数器，最大计数率1,000,000cps。 测角仪：θ/θ和θ/2θ方式，角度重现性±0.00010，2θ范围-400—1700。 样品XYZ范围：100mm/100mm/12mm，分辨率0.01mm/0.01mm/0.001mm。 样品倾动角（chi）：1800，分辨率＜0.0050。 样品旋转角（phi）：±3600，分辨率＜0.0050。 |
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应用技术领域 |
高分辨x射线衍射仪可用于半导体单晶材料结构分析、应力分析以及位错研究，对半导体GaN，AlGaN，InN以及GaN/InGaN多量子阱结构材料进行结构，晶体完整性等测试分析。 |
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学科领域 |
半导体单晶材料结构，应力以及位错分析。可进行θ/θ和θ/2θ扫描，小角略射，到易空间分析等。 |
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主要功能 |
高分辨x射线衍射仪可用于半导体单晶材料结构分析、应力分析以及位错研究。 |
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主要附件 |
冷水机组。10℃-50℃范围的温度控制，水温可控制精度在2℃范围。 |
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样品要求或共享须知 |
大于1*1cm的半导体单晶片。 |
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收费标准 |
暂不共享。 |
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使用人 |
谢自力 |
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仪器地点 |
蒙民伟楼27楼超净实验室 |
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仪器管理员 |
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序号 |
姓名 |
联系电话 |
电子邮箱 |
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1 |
谢自力 |
025-83685367 |
xzl@nju.edu.cn |
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