主要技术指标 | SEM:二次电子像1.2nm (加速电压为30kV时)、3.0nm (加速电压为1kV时);放大倍数10-500000。CL:高分辨图像系统,,高灵敏度的半导体(需要冷却水源)的探测器和前置放大器;CL响应波长范围达到165nm-1800nm。能谱仪。 | ||||||||||
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学科领域 | 广泛用于材料、冶金、矿物、等领域。 | ||||||||||
主要功能 | 阴极荧光CL作为扫描电镜的附件,可以在进行表面形貌分析的同时,研究半导体材料的发光特性,尤其适合于半导体量子肼、量子点、量子线等纳米结构的发光性能研究。配置了能谱仪的电子显微镜就具备了材料的微观成份分析的功能,可以更深入的分析材料的微观性能,在一定程度上可以取代化学方法,是材料合成、材料性能分析、材料缺陷或失效分析、新材料的开发和研制应用领域必不可少的分析工具。 | ||||||||||
收费标准 | 暂不共享 | ||||||||||
仪器状态 | 使用 | ||||||||||
使用人 | 赵红 | ||||||||||
仪器地点 | 物理楼144室 | ||||||||||
仪器管理员 |
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