主要技术指标:1.设备为防氯基、氟基腐蚀的防腐设备,支持氯基、氟基刻蚀气体;2.极限真空度:刻蚀室≤2.0×10-4 Pa(环境湿度≤55%,烘烤除气),进样取样室≤6.7×10-1 Pa;3.抽速:通过机械手送样片后开始抽气至8.0×10-4 Pa的时间≤20min;4.系统静态升压率:抽至高真空,停泵关机12小时后刻蚀室的真空度≤10Pa;5.刻蚀材料:Si、SiO2、Si3N4、Poly-Si、PZT、ZnO、BFO等材料;6.刻蚀速率:0.1~2?m/min;7.刻蚀不均匀性:≤±5%(φ5吋范围内);
功能/应用范围:适用于4英寸硅片;标准ICP深硅刻蚀工艺参数: 20微米深硅刻蚀约2.5微米刻蚀窗口宽度厚度大于1微米光刻胶掩膜或大约0.5微米SiO2掩膜掩膜图形的硅暴露面积小于10%刻蚀速度:>2微米/分钟光刻胶的选择比:>50:1 SiO2的选择比:>100:1边壁角度:90±1度
主要测试和研究领域:电子/信息技术
收费标准:其它收费方式
仪器负责人:吴东平
电话:55664846
电子邮件:dongpingwu@fudan.edu.cn