上海大学实验设备处

联系人：马忠权(66136912)

仪器简介：

　　霍尔系统控制器和温度控制器等部分组成，能实现半导体及其薄膜材料的电学特性测试，同时通过

液氦冷却系统可达到对材料的变温测量。具有测试速度快，数据准确的特点。

主要技术指标：

　　技术参数磁场强度：0.3T;

　　温度范围：10K-300K；

　　输入电流：1nA-20mA;

　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107

　　阻抗(Ohms.cm):10-4 to 107

　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021

　　样品夹具：6mm*6mm及20mm*20mm (PCB6,PCB20)；

应用范围：

　　测量材料：可应用于各种半导体及其薄膜材料的载流子浓度，电阻率，载流子迁移率及霍尔系数等

电学性能的常温或变温测试包括所有半导体材料，比如：Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型

&P型均可测量)。