上海大学实验设备处

联系人：马国宏(66132513)

 

仪器简介：

 

　　磁控溅射设备。

 

主要技术指标：

 

　　1.系统主要性能

 

　　该系统是一台超高真空复合材料薄膜沉积系统,用来沉积各种金属或者半导体薄膜。

 

　　2.主要组成及技术指标

 

　　*极限真空度：≤6.67x10-6Pa (经烘烤除气)

 

　　*停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa

 

　　系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

 

　　系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，30分钟可达到6.6x10-4 Pa；

 

　　* A、溅射真空室组件(1套)

 

　　选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，要求表面处理采用喷玻璃丸和特殊化学电解抛光表面钝化处

理工艺(采用国外设备钝化处理工艺)；电动上掀盖结构，可内烘烤100～150℃。

 

　　* B、磁控溅射靶组件(3套)

 

　　靶材尺寸Φ60mm，其中一个靶可以溅射2mm磁性材料，磁控靶可以共溅射也可以单独直溅射，磁

控靶RF/DC/MF兼容，磁控靶带有电动控制挡板。

 

　　C、单基片水冷加热台组件(1套)

 

　　可放置Φ30mm基片，最高温度600℃±1℃，并有日本进口控温表程序控制，样品可自转，样品可

加直流副偏压-200V。

 

　　D、窗口及法兰接口部件(1套)

 

　　E、工作气路(1套)

 

　　200SCCM、100SCCM质量流量控制器控制进气。

 

　　F、抽气机组及阀门、管道(1套)

 

　　G、安装机台架组件(1套)

 

　　*H、真空测量及电控系统(1套)

 

　　*配有500W射频电源1套；(全自动匹配)和500W直流电源2套；

 

　　宽量程数显真空测量：1.0x105Pa～1.0x10-5Pa。

 

　　有断电保护功能和水流报警断电保护功能

 

　　-200V直流偏压电源：1套；

 

　　*I、配件(1套)及备件各1套，并另配Zn：99.99% Ti：99.9 Al：99.99% Sn：99.99%靶材

60mm*3mm厚度各一块。

 

　　K、计算机控制系统(1套)

 

　　由计算机、硬件卡、软件组成，可实现靶挡板、样品自转、六工位样品挡板、样品控温等的自动控

制；

 

　　* L、六工位基片加热公转台组件(1套)

 

　　拆下单基片水冷加热台组件可换上六工位基片公转组件样品台。可放置6片Φ30mm基片，最高温度

600℃±1℃，并有日本进口控温表程序控制，样品可自转，样品可加直流副偏压-200V。可由计算机控

制公转工位及镀膜过程；

 

　　电动控制基片CF25挡板组件：1套

 

应用范围：

 

　　薄膜制备。