上海大学实验设备处

联系人：徐静(18616382643)、楼燕燕(18930057056)

 

仪器简介：

 

　　主要配置：微波光电导衰减法：激发波长905nm，最小扫描步长1mm。LBIC四个激发波长：408nm，850nm，950nm，980nm，最小扫描步长100um。

 

　　主要用途：

 

　　主要应用于半导体/光电/光伏材料(单晶/多晶硅片及硅锭)领域。采用(绘图测量)单晶和多晶硅块/锭，任意形状、半径的硅片的微波光电导衰减法测量硅片少数载流子寿命。通过测量少子寿命，可做出晶体生长及工艺过程引入的缺陷图及硅片中的Fe元素污染图。可测试电池片的光诱导电流，扩散长度，反射率，计算内、外量子效率。此外，还可进行无接触方块电阻测试；涡流场体电阻率测试；pn结电阻率测量等。

 

主要技术指标：

 

　　1.微波光电导衰减法测少子寿命:

 

　　1.1寿命测试范围：0.1 us–30 ms

 

　　1.2测试分辨率：0.1%

 

　　1.3扫描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm

 

　　1.4样品的电阻率范围：0.1–1000ΩCM

 

　　1.5测试光点直径：1mm

 

　　1.6测试速度：30ms/数据点

 

　　1.7最大测试点数：超过360000

 

　　1.8激光源波长：904nm

 

　　1.9光源脉冲宽度：200ns,fall time 10ns

 

　　2.光诱导电流测试

 

　　2.1扫描区域：最大210´210 mm

 

　　2.2测试电流范围：1 uA–1mA

 

　　2.3光源波长：403，880，950，980 nm

 

　　2.4选加功能：硅片，电池的上述激光波长反射率扫描，电池的IQE，EQE扫描

 

　　2.5通过两个以上的激光器，可以计算少数载流子的扩散长度

 

　　3.方块电阻测试:无接触方块电阻测试功能，以取代传统的四探针

 

　　3.1可测试样品：np or pn structure

 

　　3.2测试范围：10Ω/sq to 1000Ω/sq

 

　　3.3测试分辨率：2%

 

　　3.4扫描分辨率：10mm

 

　　3.5测试精度：< 3%

 

　　3.6测试重复性：< 1%

 

　　4.体电阻率扫描:涡流场测试，无接触，无损伤测试

 

　　4.1测试范围：0.5–20ΩCM

 

　　4.2测试精度：3-6 %

 

　　4.3测试重复性：2%

 

　　4.4探头直径：5 mm

 

　　5. p型硅样品，范围：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3

 

　　应用范围：

 

　　半导体/光电/光伏材料中的单晶/多晶硅片及硅锭等