检测认证人脉交流通讯录
- 仪器名称：ICP等离子体刻蚀机（Ⅲ-Ⅴ）
- 价格型号：Plasmalab System 100 ICP 180
- 仪器分类：其它
- 应用领域：
- 所属单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 所在地点：
- 产 地：
- 产 商：oxford
- 价 值：0
- 购置日期：0000-00-00
技术指标：ICP 离子源：0-3000W； RF 射频源：0-600W；样品尺寸：四英寸向下兼容；基底刻蚀温度：0-200℃可调；可刻蚀材料包括：GaN，GaAs，InP，蓝宝石等
仪器用途：通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电使其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场加速作用下移动到样品表面，对样品表面既惊险化学反应生成挥发气体，又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以得到更高的刻蚀速率，更好的各向异性刻蚀。该系统使用了CL基与Br基的刻蚀气体，因此适合于对III-V族化合物材料进行刻蚀。
收费标准：700/小时
机组负责人：张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
