技术指标:温度:0-80度,侧壁垂直度:89°±1°。工艺气体:He,SF6,C4F8,O2,Ar。 ICP功率:0-3000W,RF功率:0-300W
仪器用途:主要用于硅材料的高速,深度,大深宽比刻蚀。适用于六寸片及以下尺寸。刻蚀均匀性<±5%。
收费标准:450/30分钟
机组负责人:张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
请点击查看电话