技术指标
温度控制精度±1℃,生长GaN材料浓度在1×1017cm-2时迁移率达到500cm2/v*s以上;P型参杂浓度达到LED生长技术要求的1×1012cm2以上。
仪器用途
宽禁带半导体材料及其器件结构材料生长。
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