主要技术指标:极限真空度:7*10-5Pa;基片每次装载数量:1片;基片加热温度:室温~300OC;充气控制回路:2路;样品台旋转速度:15转/分钟;样品架温度:室温~300OC;束源炉温度:室温~500OC;蒸发舟温度:室温~1200OC。
主要附件及功能:功能:该设备是在高真空条件下,通过加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜,在衬底上沉积各种金属或合金电极并通过封装手套箱封装成简单器件。主要用于有机半导体材料的物理化学性能研究实验及有机半导体器件的原理研究实验。
主要应用领域:电子与测量
检测项目:可用于各种有机材料及部分金属材料为蒸发源的蒸镀,并可一次装机进行四种不同镀膜材料的蒸镀。
仪器联系人:李宏建
联系人电话:0731-88877259